Новини

Висока чистота: епітаксіальний шар кремнію, вирощений за допомогою хімічного осадження пари (ССЗ), має надзвичайно високу чистоту, кращу площину поверхні та нижчу щільність дефектів, ніж традиційні вафлі.

Карбід твердого кремнію (SIC) став одним із ключових матеріалів у виробництві напівпровідників завдяки його унікальними фізичними властивостями. Далі наведено аналіз його переваг та практичної цінності на основі його фізичних властивостей та конкретних застосувань у напівпровідниковому обладнанні (наприклад, носіїв вафель, душові головки, обрізання фокусних кілець тощо).