Новини

Veteksemicon сяє на Шанхайській міжнародній виставці SEMICON 2025, будучи лідером майбутнього напівпровідникової промисловості з інноваційними технологіями

У галузі виробництва напівпровідників, оскільки розмір пристрою продовжує скорочуватися, технологія осадження тонких плівкових матеріалів створює безпрецедентні проблеми. Осадження атомного шару (ALD), як технологія тонкої плівки, яка може досягти точного контролю на атомному рівні, стала незамінною частиною напівпровідникового виробництва. Ця стаття має на меті запровадити процес процесу та принципи ALD, щоб допомогти зрозуміти його важливу роль у виготовленні вдосконалених мікросхем.

Він ідеально підходить для створення інтегральних схем або напівпровідникових пристроїв на ідеальному кристалічному базовому шарі. Процес епітаксії (епі) ​​у виробництві напівпровідників спрямований на осадження тонкого монокристалічного шару, як правило, приблизно від 0,5 до 20 мікрон, на монокристалічній підкладці. Процес епітаксії є важливим кроком у виробництві напівпровідникових приладів, особливо у виробництві кремнієвих пластин.