Карбід твердого кремнію (SIC) став одним із ключових матеріалів у виробництві напівпровідників завдяки його унікальними фізичними властивостями. Далі наведено аналіз його переваг та практичної цінності на основі його фізичних властивостей та конкретних застосувань у напівпровідниковому обладнанні (наприклад, носіїв вафель, душові головки, обрізання фокусних кілець тощо).
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy