Продукти
SiC Coating Suceptor
  • SiC Coating SuceptorSiC Coating Suceptor

SiC Coating Suceptor

Vetek Semiconductor зосереджується на дослідженні, розробці та індустріалізації покриттів CVD SiC і CVD TaC покриттів. Взявши як приклад покриття SiC, виріб пройшов високу обробку з високою точністю, щільним покриттям CVD SIC, високотемпературною стійкістю та сильною корозійною стійкістю. Ваш запит до нас вітається.

Ви можете бути впевнені, купуючи чутливий пристрій для покриття SiC на нашому заводі. Як виробник покриттів CVD SiC, компанія VeTek Semiconductor хоче надати вам токоприймачі для покриття SiC, які виготовлені з графіту високої чистоти та токоприймача для покриття SiC (нижче 5 ppm). Ласкаво просимо до нас.


У Vetek Semiconductor ми спеціалізуємося на технологічних дослідженнях, розробці та виробництві, пропонуючи ряд передових продуктів для галузі. Наша основна лінійка продуктів включає покриття CVD SiC + графіт високої чистоти, токоприймач із покриттям SiC, напівпровідниковий кварц, покриття CVD TaC + графіт високої чистоти, жорсткий фетр та інші матеріали.

Одним із наших флагманських продуктів є SiC Coating Susceptor, розроблений за інноваційною технологією, щоб відповідати суворим вимогам виробництва епітаксійних пластин. Епітаксійні пластини повинні демонструвати щільний розподіл довжини хвилі та низький рівень поверхневих дефектів, що робить наш спіраль із покриттям SiC важливим компонентом для досягнення цих важливих параметрів.

Переваги нашого SiC Coating Susceptor:


✔ Захист основного матеріалу: Покриття CVD SiC діє як захисний шар під час епітаксійного процесу, ефективно захищаючи основний матеріал від ерозії та пошкоджень, спричинених зовнішнім середовищем. Цей захисний захід значно продовжує термін служби обладнання.

✔ Відмінна теплопровідність: наше покриття CVD SiC має виняткову теплопровідність, ефективно передає тепло від основного матеріалу до поверхні покриття. Це підвищує ефективність управління температурою під час епітаксії, забезпечуючи оптимальні робочі температури для обладнання.

✔ Покращена якість плівки: Покриття CVD SiC забезпечує рівну та однорідну поверхню, створюючи ідеальну основу для росту плівки. Це зменшує кількість дефектів, що є результатом невідповідності решітки, покращує кристалічність і якість епітаксіальної плівки, і в кінцевому підсумку покращує її продуктивність і надійність.


Виберіть Vetek Semiconductor SiC Coating Susceptor для своїх потреб у виробництві епітаксійних пластин і отримайте переваги від покращеного захисту, чудової теплопровідності та покращеної якості плівки. Довіртеся інноваційним рішенням VeTek Semiconductor, щоб досягти успіху в галузі напівпровідників.

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC:

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC
Власність Типове значення
Кристалічна структура FCC β-фаза полікристалічна, переважно (111) орієнтована
CVD SiC Щільність 3,21 г/см³
Твердість покриття CVD SiC Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г)
Розмір зерна 2~10 мкм
Хімічна чистота 99,99995%
Теплоємність 640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублімації 2700 ℃
Міцність на згин 415 МПа RT 4-точковий
Модуль Юнга 430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
Теплопровідність 300 Вт·м-1·К-1
Теплове розширення (CTE) 4,5×10-6K-1

Виробничі цехи VeTekSemi SiC Coating Susceptor:

SiC Coating Susceptor Production shops

Гарячі теги: SiC Coating Suceptor
Надіслати запит
Контактна інформація
  • Адреса

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай

  • Електронна пошта

    anny@veteksemi.com

Щоб отримати запити щодо покриття з карбіду кремнію, покриття з карбіду танталу, спеціального графіту або прайс-листа, залиште нам свою електронну адресу, і ми зв’яжемося з вами протягом 24 годин.
X
Ми використовуємо файли cookie, щоб запропонувати вам кращий досвід перегляду, аналізувати трафік сайту та персоналізувати вміст. Використовуючи цей сайт, ви погоджуєтеся на використання файлів cookie.Політика конфіденційності
Відхилятиприйняти