Техніка та рішення

Керівництво по вибору

Посібник з вибору алмазних композитних матеріалів: межі ефективності терморегулювання та застосування алмаз-мідь, алмаз-алюміній і алмаз-SiC
01

Посібник з вибору алмазних композитних матеріалів: межі ефективності терморегулювання та застосування алмаз-мідь, алмаз-алюміній і алмаз-SiC

Теплові вузькі місця потужних чіпів і модулів часто пов’язані не тільки з тим, чи достатньо висока провідність, але й те, чи співпадають провідність і теплове розширення. Алмазні композити підвищують теплопровідність і знижують КТР через високу об’ємну частку алмазу, утворюючи три загальні шляхи: алмаз-мідь, алмаз-алюміній і алмаз-SiC. Базуючись на типових діапазонах продуктивності, у цій статті пояснюються межі вибору, сценарії застосування та контрольні точки впровадження.
Дивитись більше
02 Керівництво з вибору вдосконалених керамічних і кварцових деталей у напівпровідниковому обладнанні: матеріали, несправності, налаштування та огляд закупівель
02

02 Керівництво з вибору вдосконалених керамічних і кварцових деталей у напівпровідниковому обладнанні: матеріали, несправності, налаштування та огляд закупівель

Справжнє питання при виборі деталей камери часто полягає не в «кераміці чи кварці», а в тому, який матеріал може контролювати частинки, термін служби та вартість разом за поточної температури, корозії, електричних і механічних обмежень. У цій статті створено уніфіковану структуру вибору для вдосконаленої напівпровідникової кераміки та кварцу, пояснено розподіл їхніх ролей, чотиривимірний підхід до оцінки та шляхи зчитування невдач, налаштування та закупівлі, а також проведено чітку межу між об’ємним карбідом кремнію та покриттям із графіту + CVD SiC.
Дивитись більше
01-05 ВЕТЕК | Межі застосування та точки вибору твердого SiC у сценаріях травлення та високої чистоти
03

01-05 ВЕТЕК | Межі застосування та точки вибору твердого SiC у сценаріях травлення та високої чистоти

Solid SiC — це не «дорожчий замінник покриття», а інший технічний шлях для сценаріїв без інтерфейсу, плазмостійкості та надтривалого терміну служби. У цій статті пояснюється його межі застосування для травлення та використання високої чистоти, порівняння TCO з графітом з покриттям і точки перевірки для введення. Коли лінія постійно бачить відшарування покриття або сходження частинок на кільця фокусування та подібні положення, проблема часто полягає не лише в «недостатньому очищенні» або «поганій партії», а й у тому, чи форма матеріалу відповідає плазмовому середовищу.
Дивитись більше
01-04 ВЕТЕК | Очищення, регенерація та повне керування життєвим циклом деталей із графітовим покриттям CVD SiC
04

01-04 ВЕТЕК | Очищення, регенерація та повне керування життєвим циклом деталей із графітовим покриттям CVD SiC

Деталі з покриттям не потрібно повністю скидати на металобрухт на кожному вузлі протягом терміну служби. У цій статті пояснюється, коли графітові деталі з CVD-SiC-покриттям придатні для очищення та регенерації, як їх приймати після цього та як керувати каденцією заміни з усвідомленням повного життєвого циклу, допомагаючи надійніше збалансувати врожайність і вартість за пробіг. Справжня вартість токоприймачів, кілець попереднього нагріву та подібних деталей на лінії — це не лише ціна придбання, але й частота заміни, вікна простою та ризик частинок.
Дивитись більше
X
Ми використовуємо файли cookie, щоб запропонувати вам кращий досвід перегляду, аналізувати трафік сайту та персоналізувати вміст. Використовуючи цей сайт, ви погоджуєтеся на використання файлів cookie. Політика конфіденційності
Відхилятиприйняти