Зразок відображення

На основі фізичного зразка, наданого замовником (навіть якщо це зношена або зламана частина), ми пропонуємо повний спектр послуг, починаючи від зворотного проектування фізичної структури до фізико-хімічної характеристики на рівні матеріалу. Використовуючи високоточне контрольне обладнання напівпровідникового класу, ми точно кількісно визначаємо складні тривимірні геометричні структури, властивості розділу покриття/підкладки та фізичні параметри матеріалу, гарантуючи, що продукт зворотного проектування відповідає або перевищує стандарти OEM щодо фізичної придатності, сумісності з процесами та терміну служби (заміна форми, відповідності, функції).

Що ми вимірюємо (технічні результати):

• Розмірні та геометричні допуски:Використовуючи високоточні координатно-вимірювальні машини (CMM) і оптичні 3D-сканери, ми виконуємо повнорозмірне моделювання хмари точок і реконструкцію складних порожнинних структур і отворів для кріплення/локації, досягаючи мікронної точності.
• Мікроморфологія та площинність поверхні:Використання інтерферометрів білого світла та оптичних профілометрів для оцінки шорсткості поверхні (Ra) у нанометровому масштабі та площинності великої площі, що відповідає вимогам до обробки пластин та герметизації камери.
• Мікро-функції Edge:Картування R-радіусів країв і мікропрофілів фасок із значним збільшенням для оптимізації морфології сходження покриття та уникнення концентрації напруги в гострих кутах, яка може спричинити високотемпературне розшарування.
• Графітова підкладка та аналіз теплового узгодження:Оцінка щільності графітової підкладки високої чистоти, розміру зерна та коефіцієнта теплового розширення (КТР) для забезпечення відповідності теплового напруження між підкладкою та покриттям CVD.
• Поперечний переріз покриття та якість склеювання межі розділу:Неруйнівний XRF і металографічний SEM-аналіз поперечного перерізу для вимірювання абсолютної товщини, радіальної однорідності CVD-покриття та глибини проникнення межі розділу.
• Фазова структура та мікрокристалічний аналіз:XRD оцінка чистоти кубічної фази (β-SiC) CVD SiC; якісна оцінка хімічної стехіометрії та характеристик кристалічної структури CVD TaC.

Реальний випадок і переваги клієнта (досвід):

Клієнт 12-дюймового напівпровідникового компонента для травлення:Постачання OEM припинено; була в наявності тільки одна зношена запчастина. Завдяки зворотному моделюванню CMM + аналізу поперечного перерізу покриття SEM ми завершили розробку запасних частин і випробування на інструменті протягом 2 місяців без будь-яких оригінальних креслень, досягнувши 100% встановлення. Зрештою, цикл закупівлі компонентів скоротився з початкового 6-місячного терміну імпорту до 2 місяців, вартість одиниці закупівлі знизилася на 42%, і ця модель стабільно постачається більш ніж 30 партіями.

Покриття карбідом кремнію (SiC) на поперечному перерізі покриття SEM

FAQ

Почніть свою ексклюзивну послугу зараз