QR-код
Продукти
Зв'яжіться з нами


Факс
+86-579-87223657

Електронна пошта

Адреса
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай
Вибір відповідної комбінації підкладки та покриття є ключем до запобігання передчасному виходу компонентів з ладу, зменшення забруднення частинками та максимізації виходу пластин. Ми надаємо індивідуальні рішення щодо матеріалів і конструкцій для конкретного технологічного вікна замовника (робоча температура, хімічний склад реактивного газу, швидкість зміни).
| Покриття | Типові вказівки щодо застосування | Основні переваги |
|---|---|---|
| CVD SiC | Si/SiC епітаксія (Epi), MOCVD, часткове плазмове травлення | Висока чистота, хороша термічна стабільність, стійкість до хімічної корозії, висока загальна вартість |
| ССЗ TaC | Високотемпературне зростання монокристалів SiC (PVT), надзвичайно високотемпературні несучі компоненти | Вищий температурний рейтинг (>1600 °C), висока стійкість до корозії, чудова стійкість до окислення |
Провідний виробник епітаксії SiC (Epi):Оригінальний компонент використовував невідповідне покриття CVD TaC, що призводило до надмірного міжфазного напруження та частих мікротріщин при високій температурі. Ми повторно запустили термодинамічне моделювання та перейшли до aСпеціальна графітова підкладка високої чистоти з відповідністю CTE + буферний шар + CVD покриття SiCрішення. Результат: середній термін служби компонента збільшився з 200 годин до 850 годин; щорічна частота заміни інструменту зменшилася з 40 до 9 разів; Економія витрат на експлуатацію та обслуговування комплексного обладнання перевищила 650 000 юанів на рік.
Звіт про аналіз чистоти GDMS для покриттів TaC і SiC
A:Подивіться на температуру процесу та інтенсивність корозії в газовій фазі. Якщо температура процесу нижче 1000 °C і в основному включає травлення на основі Cl₂/F₂ або звичайну епітаксію, виберітьCVD SiCдля найкращого співвідношення ціни та якості; якщо температура процесу перевищує 1200 °C і включає сильно корозійну атмосферу (наприклад, вирощування монокристалів SiC PVT), ми рекомендуємоССЗ TaC, який забезпечує чудову стійкість до температури та корозії. Ми можемо надати безкоштовний звіт з рекомендаціями щодо вибору на основі ваших конкретних параметрів процесу.
A:так! Для зворотного проектування прототипів,MOQ становить 1 шт. Для звичайних простих деталей, від отримання зразка до доставки відображеної частини, найшвидший час виконання становить приблизно10–15 робочих днів; для деталей, які включають складні процеси покриття, це приблизно20–25 робочих днів. Зв’яжіться з нашими інженерами для прискореної оцінки.
A:90% випадків розшарування викликані невідповідністю між коефіцієнтом теплового розширення (КТР) графітової підкладки та покриття, що призводить до втомного відшаровування під час швидкого нагрівання/охолодження. Наше рішення: спочатку точно виміряйте криву КТР вашої оригінальної деталі, потім спеціально налаштуйте щільність підкладки та температурний градієнт осадження, щоб два КТР були точно узгодженими. Міцність з’єднання можна покращити до більш ніж1,5 разипромисловий звичайний рівень.
A:Кожен продукт, що поставляється, стандартно поставляється з aунікальний серійний номер + повний звіт CoA. Звіт містить: дані перевірки ШМ критичних розмірів, карту розподілу товщини багатоточкового покриття, значення шорсткості поверхні (Ra) і висновки аналізу чистоти матеріалу (GDMS).
телефон: +86-18069220752(Тіна);+86-15988690905(сироватка)
Електронна пошта: anny@veteksemi.com