Продукти
LPE SIC EPI Half Moon
  • LPE SIC EPI Half MoonLPE SIC EPI Half Moon
  • LPE SIC EPI Half MoonLPE SIC EPI Half Moon

LPE SIC EPI Half Moon

LPE SiC Epi Halfmoon — це спеціальна конструкція для горизонтальної епітаксічної печі, революційний продукт, розроблений для вдосконалення процесів SiC епітаксії в реакторі LPE. Це передове рішення може похвалитися декількома ключовими функціями, які забезпечують чудову продуктивність і ефективність під час ваших виробничих операцій. Vetek Semiconductor є професіоналом у виробництві LPE SiC Epi halfmoon розміром 6 дюймів, 8 дюймів. З нетерпінням чекаємо налагодження довгострокової співпраці з вами.

Як професійний виробник та постачальник LPE SIC EPI, Semiconductor Vetek хотів би забезпечити вам високоякісну якість LPE SIC EPI Halfmoon.


LPE SiC Epi Halfmoon від VeTek Semiconductor, революційний продукт, розроблений для вдосконалення процесів епітаксії SiC в реакторі LPE. Це передове рішення може похвалитися декількома ключовими функціями, які забезпечують чудову продуктивність і ефективність під час ваших виробничих операцій.


LPE SIC EPI Half Moon пропонує виняткову точність та точність, що гарантує рівномірний ріст та високоякісні епітаксіальні шари. Його інноваційна конструкція та вдосконалені методи виготовлення забезпечують оптимальну підтримку вафель та термічне управління, забезпечуючи послідовні результати та мінімізуючи дефекти. Крім того, LPE SiC Epi Halfmoon покритий високоякісним шаром карбіду танталу (TaC), що покращує його продуктивність і довговічність. Це покриття TaC значно покращує теплопровідність, хімічну стійкість і зносостійкість, захищаючи виріб і подовжуючи термін його служби.


Інтеграція TAC покриття в півмісяця LPE SIC EPI приносить значні вдосконалення потоку вашого процесу. Це посилює теплове управління, забезпечуючи ефективне розсіювання тепла та підтримку стабільної температури росту. Це поліпшення призводить до підвищення стабільності процесу, зменшення теплового напруги та покращення загального врожаю. Крім того, TAC покриття мінімізує забруднення матеріалу, що дозволяє очистити та багато іншого контрольований процес епітаксії. Він діє як бар’єр проти небажаних реакцій і домішок, що призводить до отримання вищої чистоти епітаксійних шарів і покращення продуктивності пристрою.


Виберіть LPE SiC Epi Halfmoon від VeTek Semiconductor для неперевершених процесів епітаксії. Відчуйте переваги передового дизайну, точності та трансформаційної силиПокриття TaCв оптимізації виробничих операцій. Підніміть свою продуктивність та досягніть виняткових результатів за допомогою провідного рішення Vetek Semiconductor.


Параметр продукту LPE SiC Epi Halfmoon

Фізичні властивості покриття TaC
Щільність покриття 14.3 (г/см³)
Питома випромінювальна здатність 0.3
Коефіцієнт теплового розширення 6.3*10-6
ТАК ТАКУВАННЯ ТАКУ (HK) 2000 р.
Опір 1 × 10-5Ом*см
Термічна стабільність <2500 ℃
Зміни розміру графіту -10 ~ -20um
Товщина покриття Типове значення ≥20um (35um±10um)


Виробничий цех VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon

VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon Production Shop


Огляд мережі індустрії епітаксії напівпровідникових мікросхем:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


Гарячі теги: LPE SIC EPI Half Moon
Надіслати запит
Контактна інформація
  • Адреса

    Wangda Road, вулиця Зіян, графство Вуї, місто Цзіньхуа, провінція Чжецзян, Китай

  • Електронна пошта

    anny@veteksemi.com

Щоб отримати запити щодо покриття з карбіду кремнію, покриття з карбіду танталу, спеціального графіту або прайс-листа, залиште нам свою електронну пошту, і ми зв’яжемося протягом 24 годин.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept