QR-код
Продукти
Зв'яжіться з нами


Факс
+86-579-87223657

Електронна пошта

Адреса
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай
|
Промисловість |
Виробництво напівпровідників (прийняття якості компонентів гарячої зони епітаксії/травлення) |
|
процес |
GaN MOCVD,SiC епітаксія, приймання на вході та на інструмент відповідних деталей гарячої зони |
|
Рішення |
Піддається кількісній оцінці прийнятності однорідності товщини, частинок, чистоти та стану поверхні |
|
Послуги |
Звіти GDMS/ICP-OES, дані про товщину та однорідність, перевірка зразків, підтримка аналізу несправностей |
|
Результати |
• Типова однорідність товщини: в межах ±5% • Еталон контролю частинок: порядок ≤0,1/см² (залежно від процесу) • Чистота покриття може бути нижче 5 ppm; деякі партії досягають 99,99995% • Вхідні показники та елементи звіту, які можна перевірити під час доставки |
Після вибору матеріалу продуктивність інструменту часто вирішує кількісно вимірювані показники, такі як однорідність товщини, рівень частинок і чистота. У цій статті впорядковано ключові показники якості покриття CVD SiC під час прийняття та використання, допомагаючи переходити від «відповідності специфікаціям» до «можна перевірити звіт і передбачити ризик».
Основний висновок:Нерівномірна товщина покриття змінює місцевий термічний опір і стан поверхні, що, у свою чергу, впливає на однорідність температури та розподіл товщини епітаксійної плівки. Типовою інженерною метою є контроль однорідності товщини в межах ±5%, з точками вимірювання, розташованими в критичних зонах деталі, а не тільки з урахуванням середнього значення.
Для частин гарячої зони, таких як токоприймачі та кільця попереднього нагріву, покриття є одночасно хімічним бар’єром і частиною теплового шляху. При однаковій номінальній товщині великі відхилення між краєм і центром або між канавками і плоскими ділянками можуть посилити коливання рівномірності на краю вікна процесу.
• Номінальна товщина та діапазон допусків (відповідає процесу та структурі деталі)
• Багатоточкова рівномірність (рекомендовано покривати центр, край і зони структурного переходу)
• Чи відмінності між критичними та некритичними обличчями знаходяться в прийнятному діапазоні
Основний висновок:Контроль частинок не може зупинятися на «низьких частках». Це повинно приземлитися на чистоту поверхні, щільність і ризик пудри під час використання. Інженерна практика часто використовує частки на одиницю площі, шорсткість поверхні та цілісність покриття як елементи перевірки при надходженні та перед використанням на інструменті. Цільовий рівень часток може вказувати на порядок ≤0,1/см² і бути жорстким або послабленим для кожного процесу установки.
Епітаксія та травлення чутливі до частинок. Якщо покриття пористе, з мікротріщинами або локально занадто товсте/тонке, воно, швидше за все, стане джерелом часток після деякого використання. Уточнення стану поверхні при вхідному прийманні ефективніше, ніж звинувачення після появи проблем.
• Зовнішній вигляд: рівномірний колір, без явних ямок, пухирів або розшарування
• Чи знаходиться шорсткість поверхні (Ra) в узгодженому діапазоні
• Чи надано заяви щодо часток або чистоти (відповідно до взаємно погоджених методів тестування)
Основний висновок:Рекомендовано розглядати звіти про чистоту GDMS/ICP-OES, дані про товщину та однорідність, зовнішній вигляд і критичні розміри як стандартний вхідний пакет. Чистота покриття може бути нижче 5 ppm; деякі партії досягають 99,99995%. Для відстеження звіти мають відповідати конкретним партіям і частинам.
Виконуваний список прийнятності корисніший, ніж словесне «відповідає специфікації». Наступні елементи можна скоротити відповідно до вимог заводу та вписати в закупівельні документи та документи IQC.
|
Перевірте елемент |
опис |
|
Картування лотів і звітів |
Номер звіту відповідає фізичній партії; простежуваний |
|
Чистота (GDMS/ICP-OES) |
Критичні домішки в узгоджених межах; чистота покриття може бути нижче 5 ppm |
|
Товщина і однорідність |
Номінальна товщина виконана; типова цільова однорідність в межах ±5% |
|
Зовнішній вигляд і поверхня |
Рівномірний колір, без видимих дефектів; Ra в узгодженому діапазоні |
|
Критичні розміри |
Зіставте креслення або запасні допуски OEM, щоб забезпечити підгонку інструменту |
Перед використанням на інструменті все одно рекомендується перевірити зразок однорідності температури та характеристики частинок. Звіт про проходження не гарантує оптимальної продуктивності у вікні процесу, але може значно зменшити ймовірність видачі дефектної партії інструменту.
Основний висновок:Запишіть однорідність товщини, частки/поверхню та чистоту у виконуваних пунктах приймання та вимагайте звітів для картографування один до одного з партіями. У разі виникнення аномалій спочатку порівняйте інші інструменти на тій самій партії та внесіть зміни в процес, а потім вирішіть, чи оновлювати матеріальне рішення.
Рекомендована послідовність:
1. У специфікації закупівлі визначте допуск по товщині, цільову однорідність, метод і межі чистоти, а також вимоги до зовнішнього вигляду.
2. При надходженні перевірте звіт щодо фізичної партії; зразок критичних розмірів і зовнішнього вигляду.
3. Після нової партії або зміни процесу запустіть невелику партію на інструменті, щоб перевірити частки та однорідність.
4. Якщо тривалість життя або частки є ненормальними, досліджуйте дані покриття та умови печі/процесу паралельно; уникайте приписування однієї причини.
Основний висновок:Вказати лише середню товщину недостатньо. Локальне потоншення або потовщення на краю та в структурних перехідних зонах безпосередньо підвищує ризик частинок і теплового поля. При прийнятті необхідно вказати багатоточкову однаковість і місця вимірювання, а не тільки те, чи потрапляє середнє дискове значення в номінальний допуск.
Інженерна примітка:
Після аSiC епітаксіялінія представила нову специфікаціюCVD покриття SiCIQC перевірив звіт постачальника: номінальна товщина і середня товщина диска були в межах узгодженого допуску, чистота GDMS пройшла, а зовнішній вигляд не показав очевидних аномалій, тому партію було допущено до інструменту. Приблизно після двадцяти прогонів деякі лотки неодноразово демонстрували підвищення часток і локальне потоншення плівки у відповідній області краю пластини, тоді як інші лотки з тієї ж партії працювали нормально. Спочатку виникла підозра щодо розподілу технологічного газу, але коли ту саму камеру повернули до лотків із старими специфікаціями, проблема краю явно вщухла, вказуючи на саму нову партію. Багатоточкове вимірювання товщини несправних деталей у порівнянні зі звичайними частинами тієї ж партії показало: середнє значення диска справді відповідало специфікаціям, але точки зовнішнього кільця біля країв систематично були тонкими приблизно на 8–12%, що вже перевищувало мету внутрішньої однорідності заводу в ±5%; тонкі зони сильно перекривали зони з високим вмістом часток. Основну причину було виявлено в тому, що швидкість осадження в канавках і зовнішньому кільці не були повністю відкалібровані для цієї структури; вихідний звіт надав лише середнє значення без узгодженого розподілу за кількома пунктами. Потім рядок записав багатоточкову рівномірність «центр + край + перехід канавки» в обов’язкові вхідні перевірки та обов’язкові звіти, які містять карту точок вимірювання. Після того, як постачальник налаштував технологічне вікно зовнішнього кільця на наступних партіях, частки країв і товщина плівки повернулися до історичних рівнів. Цей випадок показує: середня специфікація не означає однаковість специфікації. Для термічно чутливих токоприймачів приймання без даних про товщину в кількох точках і розташування може призвести до появи локальних дефектів на лінії. Написання схеми точок вимірювання та цільової однорідності, як-от ±5%, у специфікації є ефективнішим, ніж потім сперечатися, чи «звіт був прийнятним».
1. Чи є однорідність товщини ±5% обов'язковим стандартом?
Це загальна інженерна ціль, а не унікальний правовий стандарт. Більш вузький або трохи ширший діапазон можна узгодити з постачальником на основі структури деталей і чутливості процесу. Важливим є охоплення точки вимірювання та можливість відстеження звіту.
2. Чи ≤0,1/см² стосується всіх процесів?
Це еталонний порядок величини. Остаточні критерії повинні відповідати вимогам до камери заводу, процесу та врожайності, а методи випробувань і правила оцінки записані в специфікації.
3. Чи достатньо лише звіту про чистоту?
Ні. Як мінімум чистота, товщина/однорідність і зовнішній вигляд (плюс погоджені показники поверхні) повинні бути доступні разом; відповідність розмірів також впливає на використання інструменту.
4. Що робити, якщо звіт пройде, але кількість частинок на інструменті все ще висока?
Спочатку порівняйте інші інструменти з тієї самої партії, нещодавні зміни в процесі/технічному обслуговуванні та стан очищення, а потім оцініть, чи потребує налаштування розчин для покриття або вікно процесу. За потреби перехресно перевірте сторінку кластера рішень щодо вибору та сумісності обладнання.
5. Яку підтримку щодо якості може надати VeTek?
Можуть бути надані GDMS/ICP-OES та подібні звіти про аналіз, дані про товщину та однорідність, перевірку зразків і технічне повідомлення про аномалії (зокрема англійською мовою).
Після вибору правильного матеріалу однорідність товщини, контроль частинок і чистота вирішують, чи може дана партія стабільно входити у вікно процесу. Написання цих трьох пунктів у пунктах прийняття, які можна перевірити, і наполягання на тому, щоб звіти зіставлялися з партіями, є найпрямішим способом зменшити ризик використання інструменту.
Якщо вам потрібні метрики прийняття для певної частини або допомога в інтерпретації звітів, ви можете зв’язатися з технічною командою VeTek. Доктор Сяо та команда інженерів можуть допомогти з узгодженням специфікацій, перевіркою зразків і аналізом аномалій.
Логіку вибору див.ВЕТЕК | Як вибрати покриття SiC, покриття TaC або твердий SiC за умовами процесу; повну структуру дивіться на сторінці стовпаМежі продуктивності CVD SiC, TaC і твердого SiC у процесах епітаксії та травлення.
Основна література та джерела даних
1. Внутрішня інженерія VeTek Semiconductor і практика прийому клієнта.
2. Метричні описи щодо чистоти, однорідності товщини та контролю частинок у Довіднику з розробки витратних матеріалів для CVD покриття для обладнання для епітаксії та травлення напівпровідників.
3. Продуктово-технічні матеріали офіційного сайту VeTek: https://www.veteksemicon.com/silicon-carbide-coating
Примітка: показники однорідності, частинок і чистоти в тексті є типовими інженерними посиланнями; фактичні значення відповідають специфікаціям контракту та виміряним результатам.
Автор: команда технічних інженерів VeTek Semiconductor (завершено під керівництвом доктора Сяо)
Для подальшого технічного обговорення або оцінки зразків зв’яжіться з нами через офіційний веб-сайт.
+86-579-87223657
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай
Авторське право © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co., Ltd. Всі права захищено.
Links | Sitemap | RSS | XML | Політика конфіденційності |