CVD TAC покрита триеталевим направляючим кільцем

Силіконовий карбід монокристалічний матеріал - це своєрідний кристалічний матеріал, який належить до широкого напівпровідникового матеріалу. Він має переваги стійкості до високої напруги, високої температурної стійкості, високої частоти, низьких втрат тощо. Це основний матеріал для підготовки електронних пристроїв потужності високої потужності та мікрохвильових радіочастотних пристроїв. В даний час основними методами вирощування кристалів SIC є фізичний транспорт пари (метод ПВТ), високотемпературне хімічне осадження пари (метод HTCVD), метод рідкої фази тощо.

Метод фізичного транспорту (ПВТ) - це добре встановлена ​​техніка, яка підходить для великого масштабного промислового виробництва. У цьому процесі кристал насіння SIC розміщується у верхній частині тигель, тоді як порошок SIC, що служить сировиною, розміщується на тиглі. В умовах високої температури та низького тиску в закритому середовищі SIC порошок сублімує. Керується різницею температури та різницею концентрації, сублімізовані види рухаються вгору до області поблизу кристала насіння. Після досягнення перенасиченого стану відбувається перекристалізація, що дозволяє точно контролювати розмір та специфічний тип кристалів вирощених кристалів SIC.

CVD TAC покривало три - пелюсткові направляючі кільце служить численними вирішальними функціями. Перш за все, це посилює механіку рідини, керуючи потоком газу, гарантуючи, що площа росту кристалів піддавалася рівномірній атмосфері. Крім того, він ефективно розсіює тепло під час процесу росту кристалів SIC. Підтримуючи відповідний градієнт температури, він оптимізує умови росту для кристалів SIC і пом'якшує ризик дефектів кристалів, спричинених нерівномірним розподілом температури.