Порошок SiC високої чистоти для росту кристалів SiC

1. Основні характеристики

· Високий рівень чистоти:Ступінь чистоти досягає 99,9999% (клас 6N).

· Наднизький вміст металевих домішок:Зведені до мінімуму залишки металів, оптимізовані для росту кристалів SiC.

· Повна прозорість:Для кожної партії доступні повні дані тестування GDMS (мас-спектрометрія тліючого розряду).

· Стабільна теплова продуктивність:Дуже передбачувана та рівномірна сублімаційна поведінка під час циклів росту PVT.

· Контрольований розподіл частинок за розміром:Гранулометрія ретельно контролюється для підтримки постійної щільності упаковки.

· Індивідуальні формули:Спеціальні розміри часток і криві розподілу доступні за запитом.

· Стандарт якості напівпровідників:Виготовляється строго за системами управління якістю напівпровідників.

2. Візуальні елементи продукту

3. Технічні характеристики

4. Додатки

· Зростання кристалів SiC PVT:Провідні та напівізоляційні злитки SiC.

· Напівпровідникові підкладки:Вафельна підкладка та сировина для епітаксійної обробки.

· Високоякісні теплові компоненти:Удосконалені керамічні компоненти та чутливі покриття.

· Дослідження та розробки:Дослідження силової електроніки нового покоління та високочастотних пристроїв.

5. Чому варто вибрати VeTek Semiconductor?

· Власне очищення:Передові методи очищення, що забезпечують чистоту до 6N для вирощування монокристалів.

· Суворий контроль якості:Спеціальна гарантія якості з суворим контролем забруднення рівня напівпровідників.

· Гнучкість налаштування:Гнучке індивідуальне визначення розміру частинок відповідно до специфікацій тигля PVT-печі.

· Стабільний ланцюг поставок:Надійна потужність постачання гарантує стабільну довгострокову поставку масового виробництва.

· Технічна експертиза:Повна технічна підтримка, адаптована до ваших конкретних процесів вирощування кристалів.