Порошок карбіду кремнію (SiC) високої чистоти

Ключові характеристики
• Чистота може досягати 99,9999% — це 6N

• Зберігається низький рівень металевих домішок

• Тестові дані GDMS доступні за запитом

• Характер сублімації залишається незмінним від партії до партії

• Менший ризик забруднення під час обробки

• Гранулометричний склад контролюється

• Ви також можете запитати індивідуальні розміри частинок

• Контроль якості відповідає стандартам класу напівпровідників

Діапазон розміру частинок:

Чистота порошку: 

Технічні характеристики:

Додатки

• Зростання монокристалів SiC (PVT)

• Провідні та напівізоляційні підкладки з SiC

• Напівпровідникові матеріали

• Advanced Ceramics

• Дослідження та розробки

Чому варто вибрати VeTek Semiconductor?

• Передова технологія очищення

• Контроль якості напівпровідників

• Індивідуальні параметри розміру частинок

• Стабільне та надійне постачання

• Технічна підтримка додатків для вирощування кристалів