Пористий карбід Tantalum: нове покоління матеріалів для росту кристалів SIC

При поступовому масовому виробництві провідних субстратів SIC надається більш високі вимоги до стабільності та повторюваності процесу. Зокрема, контроль дефектів, незначні коригування або дрейфи в тепловому полі в печі призведуть до зміни кристала або збільшення дефектів.

На пізнішому етапі ми зіткнемося з проблемою «рости швидше, товщі та довші». Окрім удосконалення теорії та техніки, для підтримки потрібні більш досконалі матеріали теплового поля. Використовуйте сучасні матеріали для вирощування сучасних кристалів.

Неправильне використання таких матеріалів, як графіт, пористий графіт та порошок карбіду Tantalum у тиглі в тепловому полі, призведе до дефектів, таких як збільшення включення вуглецю. Крім того, у деяких програмах проникності пористого графіту недостатньо, і для підвищення проникності потрібно відкрити додаткові отвори. Пористий графіт з високою проникністю стикається з проблемами, такими як обробка, втрата порошку та травлення.

Нещодавно VeTek Semiconductor випустила нове покоління матеріалів теплового поля для росту кристалів SiC,пористий карбід, вперше у світі.

Карбід танталу має високу міцність і твердість, і зробити його пористим ще складніше. Ще більш складним є виготовлення пористого карбіду танталу з великою пористістю та високою чистотою. VeTek Semiconductor випустила революційний пористий карбід танталу з великою пористістю,з максимальною пористістю 75%, досягаючи міжнародного провідного рівня.

Крім того, його можна використовувати для фільтрації компонентів газової фази, регулювання локальних температурних градієнтів, спрямування напрямку потоку матеріалу, контролю витоку тощо; його можна комбінувати з іншим твердим карбідом танталу (щільним) або покриттям з карбіду танталу VeTek Semiconductor для формування компонентів з різною локальною провідністю потоку; деякі компоненти можна використовувати повторно.

Технічні параметри

Пористість ≤75% Міжнародний лідер

Форма: пластинчаста, циліндрична міжнародна провідна

Рівномірна пористість

Напівпровідник VeTek з пористого карбіду танталу (TaC) має такі характеристики продукту

● Пористість для універсальних додатків

Пориста структура TaC забезпечує багатофункціональність, що дозволяє використовувати його в спеціалізованих сценаріях, таких як:

Газова дифузія: Сприяє точному контролю потоку газу в напівпровідникових процесах.

фільтрація: Ідеально підходить для середовищ, що потребують високоефективного розділення твердих частинок.

Контрольоване розсіювання тепла: Ефективно керує теплом у високотемпературних системах, підвищуючи загальну терморегуляцію.

● Екстремальна високотемпературна опір

З температурою плавлення приблизно 3880 ° C, карбід Tantalum перевершує у надвисоких температурних додатках. Цей винятковий теплостійкість забезпечує послідовну продуктивність в умовах, коли більшість матеріалів провалюються.

● Вища твердість і довговічність

Рейтинг 9-10 за шкалою твердості MOHS, подібним до алмазу, пористий TAC демонструє неперевершений стійкість до механічного зносу, навіть під екстремальним напруженням. Ця довговічність робить його ідеальним для додатків, що піддаються абразивному середовищу.

●   Виняткова термічна стабільність

Карбід танталу зберігає свою структурну цілісність і ефективність при сильній спекі. Його надзвичайна термічна стабільність забезпечує надійну роботу в галузях промисловості, які вимагають високотемпературної консистенції, таких як виробництво напівпровідників і авіакосмічна промисловість.

● Відмінна теплопровідність

Незважаючи на свою пористу природу, Porous TaC підтримує ефективну теплопередачу, що дозволяє використовувати його в системах, де швидке розсіювання тепла є критичним. Ця особливість підвищує застосовність матеріалу в теплоємних процесах.

●   Низьке теплове розширення для стабільності розмірів

З низьким коефіцієнтом термічного розширення карбід Tantalum протистояв розмірним змінам, спричиненим коливанням температури. Ця властивість мінімізує теплове напруження, продовжуючи термін експлуатації компонентів та підтримуючи точність у критичних системах.

У виробництві напівпровідників пористий карбід танталу (TaC) відіграє наступні ключові ролі:

● У високотемпературних процесах, таких як травлення в плазмі та ССЗ, напівпровідник Vetek пористий карбід Танталум часто використовується як захисне покриття для обладнання для переробки. Це пояснюється сильною корозійною стійкістю до покриття TAC та його високотемпературною стабільністю. Ці властивості гарантують, що він ефективно захищає поверхні, що піддаються реакційним газам або екстремальній температурі, тим самим забезпечуючи нормальну реакцію високотемпературних процесів.

● У дифузійних процесах пористий карбід Tantalum може слугувати ефективним дифузійним бар'єром для запобігання змішування матеріалів у високотемпературних процесах. Ця особливість часто використовується для контролю дифузії допантів у таких процесах, як іонна імплантація та контроль чистоти напівпровідникових вафель.

● Пориста структура напівпровідникового карбіду Vetek пористого танталума дуже підходить для напівпровідникових середовищ, які потребують точного контролю потоку газу або фільтрації. У цьому процесі пористий TAC в основному відіграє роль фільтрації та розповсюдження газу. Його хімічна інертність гарантує, що в процесі фільтрації жодних забруднень не вводиться. Це ефективно гарантує чистоту обробленого продукту.

Про компенсацію напівпровідник

Як професійний виробник карбіду, постачальник, постачальник, фабрика, ми маємо власну фабрику. Незалежно від того, чи потрібні вам індивідуальні послуги, щоб задовольнити конкретні потреби вашого регіону або хочете придбати передовий та довговічний пористий карбід, виготовлений у Китаї, ви можете залишити нам повідомлення.

Якщо у вас є запитання або потрібна додаткова інформація проПористий карбід танталу、Пористий графіт з покриттям карбідута іншеКомпоненти з покриттям з карбіду танталу, Будь ласка, не соромтеся зв’язатися з нами.

☏☏☏Моб/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

☏☏☏Електронна пошта: anny@veteksemi.com