Тигель для монокристалічного кремнію

У методі CZ (Czochralski) вирощують монокристалічний насіння монокристалічного насіння в контакт з розплавленим полікристалічним кремнієм. Насіння поступово тягне вгору, коли повільно обертається. У цьому процесі використовується значна кількість графітових деталей, що робить його методом, який використовує найвищу кількість графітових компонентів у виробництві напівпровідників кремнію.

Права картина забезпечує схематичне зображення однокристалічної виробничої печі кремнію на основі методу CZ.

Тигель напівпровідника Vetek для монокристалічного кремнію забезпечує стабільне та контрольоване середовище, що має вирішальне значення для точного утворення напівпровідникових кристалів. Вони сприяють вирощуванню монокристалічних злиттів кремнію, використовуючи вдосконалені методи, такі як процес Чокральського та методи поплавкової зони, які є життєво важливими для отримання високоякісних матеріалів для електронних пристроїв.

Сизенені для видатної термічної стійкості, хімічної корозійної стійкості та мінімального теплового розширення, ці тиглі забезпечують довговічність та надійність. Вони призначені для того, щоб протистояти суворим хімічним середовищам, не погіршуючи структурну цілісність або продуктивність, тим самим продовжуючи тривалість життя Crucible та підтримувало послідовну продуктивність над тривалим використанням.

Унікальний склад напівпровідникових тиглів для монокристалічного кремнію дозволяє їм пережити екстремальні умови високотемпературної обробки. Це гарантує виняткову теплову стабільність та чистоту, які є критичними для напівпровідникової обробки. Склад також полегшує ефективну передачу тепла, сприяючи рівномірній кристалізації та мінімізуючи теплові градієнти в рамках розплаву кремнію.

✔ Захист базового матеріалу:CVD SIC покриттяДіє як захисний шар під час епітаксіального процесу, ефективно захищаючи базовий матеріал від ерозії та пошкодження, спричинених зовнішнім середовищем. Цей захисний захід значно продовжує термін служби обладнання.

✔ Відмінна теплопровідність: Наше покриття CVD SIC має видатну теплопровідність, ефективно перенесення тепла з основного матеріалу на поверхню покриття. Це підвищує ефективність термічного управління під час епітаксії, забезпечуючи оптимальні робочі температури для обладнання.

✔ Покращена якість фільму: Покриття CVD SIC забезпечує рівну та рівномірну поверхню, створюючи ідеальну основу для зростання плівки. Це зменшує дефекти, що виникають внаслідок невідповідності решітки, підвищують кристалічність та якість епітаксіальної плівки, і в кінцевому рахунку підвищує її продуктивність та надійність.