Технологія MOCVD

Ветекеміконовий розірваний MOCVD SIC -покриття - це пристрій з відмінним процесом, довговічністю та надійністю. Вони можуть витримати високотемпературну та хімічну середовище, підтримувати стабільні показники та тривалий термін, тим самим зменшуючи частоту заміни та обслуговування та підвищення ефективності виробництва. Наш епітаксіальний дицептор MOCVD відомий своєю високою щільністю, відмінною плоскості та чудовим тепловим контролем, що робить його кращим обладнанням у суворих виробничих умовах. З нетерпінням чекаємо співпраці з вами. У будь -який час проконсультуватися.

Епітаксіальний GaN-сусецептор на основі кремнію є основним компонентом, необхідним для епітаксійного виробництва GaN. Епітаксіальний кріплення GaN на основі кремнію Veteksemicon спеціально розроблено для системи епітаксіальних реакторів GaN на основі кремнію з такими перевагами, як висока чистота, відмінна стійкість до високих температур і стійкість до корозії. Ласкаво просимо до подальшої консультації.