Технологія MOCVD

VeTek Semiconductor має переваги та досвід у виробництві запасних частин для технології MOCVD.

MOCVD, повна назва Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metal-organic Chemical Vapor Deposition), також можна назвати металоорганічною парофазною епітаксією. Металоорганічні сполуки — це клас сполук із зв’язками метал-вуглець. Ці сполуки містять принаймні один хімічний зв’язок між металом і атомом вуглецю. Металоорганічні сполуки часто використовуються як прекурсори та можуть утворювати тонкі плівки або наноструктури на підкладці за допомогою різних методів осадження.

Металоорганічне хімічне осадження з парової фази (технологія MOCVD) є поширеною технологією епітаксіального росту, технологія MOCVD широко використовується у виробництві напівпровідникових лазерів і світлодіодів. Особливо при виробництві світлодіодів, MOCVD є ключовою технологією для виробництва нітриду галію (GaN) і супутніх матеріалів.

Існує дві основні форми епітаксії: рідкофазова епітаксія (LPE) і парофазова епітаксія (VPE). Газофазову епітаксію можна далі розділити на металоорганічне хімічне осадження з парової фази (MOCVD) і молекулярно-променеву епітаксію (MBE).

Іноземні виробники обладнання в основному представлені Aixtron і Veeco. Система MOCVD є одним із ключових пристроїв для виробництва лазерів, світлодіодів, фотоелектричних компонентів, силових, радіочастотних пристроїв і сонячних елементів.

Основні характеристики запчастин MOCVD технології виробництва нашої компанії:

1) Висока щільність і повна інкапсуляція: графітова основа в цілому знаходиться у високій температурі та корозійному робочому середовищі, поверхня повинна бути повністю загорнута, а покриття повинно мати хорошу щільність, щоб відігравати хорошу захисну роль.

2) Хороша площинність поверхні: Оскільки графітова основа, яка використовується для вирощування монокристалів, вимагає дуже високої площинності поверхні, первісна площинність основи повинна підтримуватися після підготовки покриття, тобто шар покриття має бути однорідним.

3) Хороша міцність зв’язку: зменшіть різницю в коефіцієнті теплового розширення між графітовою основою та матеріалом покриття, що може ефективно покращити міцність зв’язку між ними, і покриття нелегко тріснути після високої та низької температури. цикл.

4) Висока теплопровідність: для високоякісного росту стружки необхідна графітова основа для забезпечення швидкого та рівномірного нагрівання, тому матеріал покриття повинен мати високу теплопровідність.

5) Висока температура плавлення, стійкість до окислення при високій температурі, стійкість до корозії: покриття повинно бути в змозі стабільно працювати при високій температурі та корозійному робочому середовищі.

Покладіть 4-дюймовий субстрат
Синьо-зелена епітаксія для вирощування світлодіодів
Розміщується в реакційній камері
Прямий контакт з пластиною Покладіть 4 дюймовий субстрат
Використовується для вирощування УФ-світлодіодної епітаксійної плівки
Розміщується в реакційній камері
Прямий контакт з пластиною Машина Veeco K868/Veeco K700
Біла світлодіодна епітаксія/синьо-зелена світлодіодна епітаксія Використовується в обладнанні VEECO
Для епітаксії MOCVD
SiC Coating Suceptor Обладнання Aixtron TS
Глибока ультрафіолетова епітаксія
2-дюймова підкладка Обладнання Veeco
Червоно-жовта світлодіодна епітаксія
4-дюймовий вафельний субстрат Сусцептор із покриттям TaC
(SiC Epi/УФ світлодіодний приймач) Токоприймач з SiC покриттям
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)