8 -дюймова частина півмісяця для реактора LPE

Як професійний виробник, VeTek Semiconductor хоче надати вам високоякісну 8-дюймову деталь Halfmoon для реактора LPE.

8-дюймова півмісяцьна деталь VeTek Semiconductor для реактора LPE є важливим компонентом, який використовується в процесах виробництва напівпровідників, зокрема в епітаксійному обладнанні SiC. VeTek Semiconductor використовує запатентовану технологію для виробництва 8-дюймових півмісяців для реактора LPE, гарантуючи, що вони мають виняткову чистоту, рівномірне покриття та видатну довговічність. Крім того, ці деталі демонструють чудову хімічну стійкість і термічну стабільність.

Основний корпус 8-дюймового напівмісяця для реактора LPE виготовлений з високочистого графіту, який забезпечує відмінну теплопровідність і механічну стабільність. Графіт високої чистоти обрано через низький вміст домішок, що забезпечує мінімальне забруднення під час процесу епітаксійного росту. Його міцність дозволяє йому витримувати складні умови в реакторі LPE.

Графітові напівмісяцьні деталі VeTek Semiconductor із SiC-покриттям виготовляються з найвищою точністю та увагою до деталей. Висока чистота використовуваних матеріалів гарантує чудову продуктивність і надійність у виробництві напівпровідників. Рівномірне покриття цих деталей забезпечує стабільну та ефективну роботу протягом усього терміну служби.

Однією з ключових переваг наших деталей Halfmoon із графітовим покриттям SiC є їх чудова хімічна стійкість. Вони можуть протистояти корозійній природі середовища виробництва напівпровідників, забезпечуючи тривалу довговічність і зводячи до мінімуму потребу в частій заміні. Крім того, їх виняткова термічна стабільність дозволяє їм зберігати свою структурну цілісність і функціональність в умовах високих температур.

Наші деталі Halfmoon з графітовим покриттям SiC були ретельно розроблені, щоб відповідати суворим вимогам епітаксійного обладнання SiC. Завдяки своїй надійній роботі ці деталі сприяють успішному процесу епітаксійного росту, уможливлюючи осадження високоякісних плівок SiC.

CVD SIC ПОКРИТТЯ ПЛІВКА КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА: