Техніка та рішення

Вибір правильного CVD SiC, покриття TaC або твердого SiC безпосередньо визначає рівні частинок і термін служби компонентів на лініях епітаксії/травлення. Ця стаття містить чіткі межі вибору за температурою, атмосферою та процесом, узгоджені з основними рішеннями щодо заміни обладнання та ключовими показниками, щоб допомогти вам швидко приймати рішення та зменшити ризик.

Дізнайтеся, як водяна лазерна технологія VeTek забезпечує рівномірні наскрізні отвори Φ0,15 мм у підкладках SiC товщиною 2 мм без конусності, мінімальну ЗТВ і високий вихід для напівпровідникових застосувань.

Найбільш складною технічною проблемою для порожнистих підйомних штифтів напівпровідникового обладнання є не покриття зовнішньої поверхні, а досягнення стабільного та рівномірного CVD-покриття на внутрішній стінці порожнистої конструкції. Від контролю однорідності покриття внутрішньої стінки до забезпечення чистоти внутрішнього отвору, кожен етап процесу безпосередньо впливає на вихід пластин. У цій статті аналізуються основні проблеми покриття внутрішньої стінки порожнистих підйомних штифтів і основні технічні шляхи.