SIC з покриттям млинця для пластівців LPE PE3061S 6 ''

Як професійний виробник, напівпровідник Vetek хотів би надати вам високоякісного вітрина для млинців з покриттям SIC для вафель LPE PE3061S 6 ''.

Напівпровідник для млинців SIC з покриттям SIC для LPE PE3061S 6 "Ваферс є критичним обладнанням, що використовується в процесах виробництва напівпровідників.

SIC з покриттям млинця для млинців для LPE PE3061S 6 "ПРОДУКТІВ ПРОДУКТУ:

Високотемпературна стабільність: SIC демонструє відмінну високотемпературну стабільність, підтримуючи свою структуру та продуктивність у високотемпературних умовах.

Виняткова теплопровідність: SiC має виняткову теплопровідність, що забезпечує швидку та рівномірну передачу тепла для швидкого та рівномірного нагріву.

Стійкість до корозії: SiC має чудову хімічну стабільність, протистоїть корозії та окисленню в різних середовищах нагрівання.

Рівномірний розподіл нагрівання: носій пластини з покриттям SiC забезпечує рівномірний розподіл нагріву, забезпечуючи рівномірну температуру по всій поверхні пластини під час нагрівання.

Підходить для виробництва напівпровідників: кремнієвий епітаксійний пластинчастий носій широко використовується в процесах виробництва напівпровідників, зокрема для епітаксії з кремнію та інших високотемпературних процесів нагрівання.

Переваги продукту:

Покращена ефективність виробництва: млинчик із покриттям SiC забезпечує швидке та рівномірне нагрівання, скорочуючи час нагрівання та підвищуючи ефективність виробництва.

Гарантована якість продукту: Рівномірний розподіл тепла забезпечує послідовність під час обробки вафель, що призводить до покращення якості продукту.

Тривалість розширеного обладнання: SIC матеріал пропонує чудову тепловідповідність та хімічну стабільність, сприяючи більш тривалому терміну експлуатації млинця.

Індивідуальні рішення: СИК ПЕРСУВАННЯ SIC, SI Epitaxy Wafer Carrier може бути адаптований до різних розмірів та специфікацій на основі вимог клієнта.

Основні фізичні властивості покриття CVD SIC:

Дилер напівпровідник

Огляд мережі індустрії епітаксії напівпровідникових мікросхем: