Веб-меню

Пошук продукту

Мова

Продукти
Токоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPI
  • Токоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPIТокоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPI
  • Токоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPIТокоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPI
  • Токоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPIТокоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPI

Токоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPI

Основа для нагріву епітаксійної пластини стовбурового типу є продуктом зі складною технологією обробки, яка є дуже складною для механічного обладнання та можливостей. Vetek semiconductor має сучасне обладнання та багатий досвід у обробці графітового ствола з SiC-покриттям для EPI, може забезпечити такий самий термін експлуатації, як і оригінальний фабричний термін служби, більш економічно ефективні епітаксіальні стволи. Якщо вас цікавлять наші дані, будь ласка, не соромтеся зв’язатися з нами.
Надіслати запит
Опис продукту

Vetek Semiconductor - це виробник Китаю та постачальника, який в основному виробляє віруючий барель з покриттям SIC для EPI з багаторічним досвідом. Сподіваємось будувати з вами ділові відносини.EPI (епітаксія)є критичним процесом у виробництві передових напівпровідників. Він передбачає осадження тонких шарів матеріалу на підкладці для створення складних конструкцій пристроїв. Графітовий віруль, що покривається, для EPI зазвичай використовується як чутки в реакторах EPI через їх чудову теплопровідність та стійкість до високих температур. ЗПокриття CVD-SIC, він стає більш стійким до забруднення, ерозії та теплового шоку. Це призводить до більш тривалої тривалості життя для чутливості та покращеної якості плівки.


Переваги нашого графітового стовбура з SiC покриттям:


✔ Зменшене забруднення: Інертний характер SiC запобігає прилипання домішок до поверхні чутливого елемента, зменшуючи ризик забруднення нанесених плівок.

✔ Підвищена стійкість до ерозії: SiC значно стійкіший до ерозії, ніж звичайний графіт, що забезпечує довший термін служби чутливого елемента.

✔ Поліпшення термічної стійкості: SIC має чудову теплопровідність і може витримувати високі температури без значних спотворень.

✔ Підвищена якість фільму: Покращена термічна стабільність і зменшення забруднення призводять до отримання нанесених плівок вищої якості з покращеною однорідністю та контролем товщини.


Застосування:

Графітові створи з покриттям SIC широко використовуються в різних додатках EPI, включаючи:

✔ Світлодіоди на основі GaN

✔ Електроніка живлення

✔ Оптико-електронні прилади

✔ Високочастотні транзистори

✔ Датчики

Параметр продукту розважаючого графітового бареля SIC

Фізичні властивостіізостатичний графіт
Власність одиниця Типове значення
Насипна щільність g/cm³ 1.83
Твердість HSD 58
Електричний опір мкм. 10
Міцність на згин MPA 47
Міцність на стиск MPA 103
Сила на розрив MPA 31
Модуль молодого ГПа 11.8
Теплове розширення (CTE) 10-6K-1 4.6
Теплопровідність Вт·м-1· K-1 130
Середній розмір зерна мкм 8-10
пористість % 10
Зольність PPM ≤10 (після очищення)

        Примітка: перед нанесенням покриття ми зробимо перше очищення, після покриття – друге очищення.

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC

Основні фізичні властивості покриття CVD SIC
Власність Типове значення
Кристалічна структура FCC β -фаза полікристалічна, головним чином (111) орієнтована
Щільність покриття SiC 3,21 г/см³
Твердість покриття CVD SIC Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г)
Розмір зерна 2~10 мкм
Хімічна чистота 99,99995%
Теплоємність 640 Дж·кг-1· K-1
Температура сублімації 2700 ℃
Міцність на згин 415 МПа RT 4-точковий
Модуль молодого 430 GPA 4PT BEND, 1300 ℃
Теплопровідність 300 Вт · м-1· K-1
Теплове розширення (CTE) 4,5×10-6K-1

Це напівпровідникТокоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPIВиробничий магазин

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI products shops

Гарячі теги: Токоприймач із графітової бочки з SiC-покриттям для EPI
Пов'язана категорія
Надіслати запит
Контактна інформація

  • Адреса

    Wangda Road, вулиця Зіян, графство Вуї, місто Цзіньхуа, провінція Чжецзян, Китай

  • Тел/

    +86-18069220752

  • Електронна пошта

    anny@veteksemi.com

Щоб отримати запити щодо покриття з карбіду кремнію, покриття з карбіду танталу, спеціального графіту або прайс-листа, залиште нам свою електронну пошту, і ми зв’яжемося протягом 24 годин.
Супутні товари
Верхня пластина з покриттям SIC для LPE PE2061S
Верхня пластина з покриттям SIC для LPE PE2061S Дивитись більше >>
Підтримка покриття SIC для LPE PE2061S
Підтримка покриття SIC для LPE PE2061S Дивитись більше >>
SIC з покриттям млинця для пластівців LPE PE3061S 6 ''
SIC з покриттям млинця для пластівців LPE PE3061S 6 '' Дивитись більше >>
Дефлектор тигля з графітового покриття SiC
Дефлектор тигля з графітового покриття SiC Дивитись більше >>
LPE, якщо встановив прихильник EPI
LPE, якщо встановив прихильник EPI Дивитись більше >>
Епірецептор із покриттям SiC
Епірецептор із покриттям SiC Дивитись більше >>
Новини Рекомендації
Пористий кремній карбід (SIC) Керамічні пластини: Високопродуктивні матеріали у виробництві напівпровідників
Пористий кремній карбід (SIC) Керамічні пластини: Високопродуктивні матеріали у виробництві напівпровідниківДивитись більше >>
Яка різниця між епітаксією та ALD?
Яка різниця між епітаксією та ALD?Дивитись більше >>
З якими проблемами стикається процес покриття CVD для росту монокристалі SIC при напівпровідниковій обробці?
З якими проблемами стикається процес покриття CVD для росту монокристалі SIC при напівпровідниковій обробці?Дивитись більше >>
Виробництво чіпів: осадження атомного шару (ALD)
Виробництво чіпів: осадження атомного шару (ALD)Дивитись більше >>
Інновації технологій CVD за Нобелівською премією
Інновації технологій CVD за Нобелівською премієюДивитись більше >>
Яка різниця між CVD TAC та спішем TAC?
Яка різниця між CVD TAC та спішем TAC?Дивитись більше >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept