Висока чистота жорсткий фетер

Епітаксіальний ріст SIC-це технологія вирощування високоякісних тонких плівок карбіду кремнію на поверхні підкладки. Цей процес має важливе значення для виготовлення високопродуктивних напівпровідникових пристроїв карбіду, таких як силіконові пристрої для карбідів та пристрої карбіду кремнію. У цьому процесі середовище росту, включаючи температуру, потік газу, тиск та інші параметри, потрібно суворо контролювати, щоб забезпечити зростання високоякісних епітаксіальних шарів карбіду з високою чистотою кремнію з хорошими електричними властивостями. Графітові частини SIC COATIG - це основна складова епітаксіального росту SIC, і жорстка чистота відчуває себе головним чином, відіграє роль збереження тепла Sic Coatig Half Moon Graphite Parts.

Висока жорстка чистота має хорошу теплопровідність, яка може рівномірно розподіляти тепло джерела нагріву навколо графітових частин SIC Coatig Halfmoon і має хороший ефект збереження тепла. Під час епітаксіального росту SIC він може поглинати тепло і вивільняти його повільно, щоб уникнути локального перегріву або переохолодження, так що різниця температури на поверхні карбідного підкладки кремнію контролюється в дуже малому діапазоні, а температура, як правило, може досягати ± 1 - 2 ℃, що дуже важливо для вирощування епітаксіального шару карбіду кремнію з рівномірною товщиною та послідовними електричними властивостями.

Деякі корозійні гази, такі як силан (SiH4) і пропан (C3H8), використовуються як реакційні гази в епітаксіальному вирощуванні SiC. Жорсткий фетр високої чистоти має хорошу стійкість до цих хімічних газів і може зберігати свою структурну цілісність протягом циклу епітаксійного росту (який може тривати годинами або навіть десятками годин). А чистота жорсткого фетру високої чистоти становить понад 99,99%, і він не виділяє речовин, які можуть забруднити епітаксіальний шар, у реакційне середовище, тим самим забезпечуючи високу чистоту епітаксійного шару карбіду кремнію.

Відповідна щільність може забезпечити механічну міцність та теплопровідність жорсткого фетру високої чистоти. При забезпеченні теплопровідності вона може мінімізувати перешкоди зовнішніх факторів на епітаксіальний ріст SIC.

У порівнянні з традиційними керамічними матеріалами та металевими матеріалами жорсткий графітовий повсть високої чистоти має кращу теплопровідність і хімічну стабільність і є чудовим допоміжним матеріалом для епітаксійного росту SiC.

VeTek Semiconductor, провідний китайський постачальник і фабрика з виробництва жорсткого фетру високої чистоти, надає продукцію, що відповідає індивідуальним вимогам, незалежно від того, чи йдеться про матеріали чи розмір виробу. Крім того, VeTek Semiconductor вже давно прагне надавати передову технологію жорсткого фетру високої чистоти. і продуктові рішення для напівпровідникової промисловості. Ми щиро сподіваємось стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Цехи з виробництва жорсткого фетру високої чистоти VeTek Semiconductor: