Sic герметична частина

SIC герметична частина відіграє ключову роль у напівпровідниковій обробці. Його відмінні властивості матеріалу та надійний ефект герметизації не тільки підвищують ефективність виробництва, але й забезпечують якість та безпеку продукції.

Основні переваги герметичної частини карбіду кремнію:

Відмінна резистентність до корозії: Серед вдосконалених керамічних матеріалів, герметична частина герметизації Veteksemi може мати найкращу резистентність до корозії у кислих та лужних середовищах. Ця неперевершена корозійна резистентність забезпечує, щоб частина герметизації SIC може ефективно працювати в хімічно корозійних середовищах, що робить його незамінним матеріалом у галузях, які часто піддаються корозійним речовинам.

Легкий і сильний: Карбід кремнію має щільність приблизно 3,2 г/см³, і, незважаючи на легкий керамічний матеріал, міцність карбіду кремнію порівнянна з діамантом. Це поєднання легкості та міцності покращує продуктивність механічних компонентів, тим самим підвищуючи ефективність та знижуючи знос вимогливих промислових застосувань. Легка природа герметичної частини SIC також полегшує легше поводження та встановлення компонентів.

Надзвичайно висока твердість і висока теплопровідність: Карбід кремнію має твердість MOHS 9 ~ 10, порівнянно з алмазом. Ця властивість у поєднанні з високою теплопровідністю (приблизно 120-200 Вт/м · К при кімнатній температурі) дозволяє SIC ущільнювачів функціонувати в умовах, які пошкодять неповноцінні матеріали. Відмінні механічні властивості SIC підтримуються при температурі до 1600 ° C, гарантуючи, що SIC ущільнювачі залишаються надійними та надійними навіть у високотемпературних програмах.

Висока твердість та зношування: Силіконовий карбід характеризується сильними ковалентними зв’язками в його кристалічній решітці, надаючи їй високу твердість та значний модуль пружності. Ці властивості перетворюються на відмінну стійкість до зносу, зменшуючи ймовірність згинання або деформації навіть після тривалого використання. Це робить SIC відмінним вибором для герметичних частин SIC, які піддаються постійному механічному стресу та абразивному умовах.

Захисне утворення шару діоксиду кремнію: Піддаючись температурі приблизно 1300 ° С у багатих киснем у середовищі, карбід кремнію утворює захисний діоксид кремнію (SIO₂) шар на його поверхні. Цей шар діє як бар'єр, запобігаючи подальшому окисленню та хімічній взаємодії. Як SIO₂Шар потовщується, він додатково захищає основний SIC від інших реакцій. Цей процес окислення самообмежування надає SIC відмінну хімічну стійкість та стабільність, що робить SIC ущільнювачів придатними для використання в реактивних та високотемпературних середовищах.

Універсальність у високопродуктивних додатках:Унікальні властивості карбіду кремнію роблять його універсальним та ефективним у різних високопродуктивних додатках. Від механічних ущільнювачів та підшипників до теплообмінників та компонентів турбін, здатність SIC ущільнювальної частини протистояти екстремальних умовах та підтримувати свою цілісність, робить його матеріалом вибору в передових інженерних розчинах.

Vetek Semiconductor зобов’язаний надавати передові технології та рішення для продуктів для напівпровідникової галузі. Крім того, наші продукти SIC також включаютьКремнієве покриття карбіду, Кераміка карбіду кремніюіПроцес епітакси SICпродукти. Ласкаво просимо свою подальшу консультацію.

Дані SEM щодо структури кристалічної плівки CVD SIC：