Графітова вафельна кришка з покриттям TaC

Основні технічні переваги

• Виняткова хімічна стійкість: Розроблено, щоб витримувати агресивні травильні гази (H₂, NH₃, HCl) при температурах від 1200°C до 2000°C.

• Відповідність теплового розширення: наш запатентований процес CVD гарантує, що покриття TaC має оптимізований КТР (коефіцієнт теплового розширення) збігається з графітовою підкладкою, запобігаючи відшарування або розтріскування під час швидкого термічного циклу.

• Покращений контроль частинок: Завдяки повній герметизації пористого графіту шар TaC усуває осипання частинок, безпосередньо збільшуючи вихід вашої пластини та скорочуючи час простою реактора.

• Подовжений термін служби: Висока зносостійка поверхня, яка витримує багаторазові цикли очищення, забезпечуючи значно нижчу вартість володіння (CoO) порівняно з альтернативами без покриття або з покриттям SiC.

Покриття з карбіду танталу (TaC) на мікроскопічному поперечному зрізі

Параметр продукту графітового вафельного кільця з покриттям TaC

Чому варто вибрати наші кільця TaC?

Ми розуміємо, що у виробництві напівпровідників надійність дорівнює прибутковості. Наші графітові вафельні кільця з покриттям TaC пройшли пакетні випробування на щільність і чистоту покриття. Незалежно від того, чи переходите ви від 6-дюймових до 8-дюймових пластин або оптимізуєте високотемпературний процес MOCVD, наші кільця забезпечують термічний і хімічний захист, необхідний для епітаксії світового рівня.