Продукти
CVD SiC покритий графітом токоприймач для вафельного носія
  • CVD SiC покритий графітом токоприймач для вафельного носіяCVD SiC покритий графітом токоприймач для вафельного носія

CVD SiC покритий графітом токоприймач для вафельного носія

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier — це високоефективний опорний компонент пластини, розроблений для процесів епітаксії напівпровідників. У продукті використовується високочистий графіт як підкладка та покритий рівномірним шаром карбіду кремнію (SiC), що забезпечує чудову термічну стабільність, хімічну стійкість і контроль частинок. Будучи критично важливим компонентом графітового приймача, він безпосередньо підтримує пластини всередині реакційної камери та допомагає підтримувати рівномірний розподіл температури та стабільні умови епітаксіального зростання.

1. Переваги продукту


  • Матеріал високої чистоти:Напівпровідниковий графітовий матеріал і щільна структура SiC-покриття мінімізують ризики забруднення та підвищують надійність CVD-SiC-покритого графіту.
  • Відмінна теплова однорідність:Оптимізована структура графіту та покриття SiC забезпечують стабільну теплопередачу та рівномірний контроль температури пластини.
  • Чудова хімічна стійкість:Щільне покриття SiC забезпечує стійкість до технологічних газів і корозійних середовищ.
  • Тривалий термін служби:Висока твердість і зносостійкість підвищують довговічність в умовах високотемпературної епітаксії.
  • Низьке утворення часток:Щільна поверхня CVD SiC зменшує вивільнення частинок і підвищує надійність процесу виробництва пластин.
  • Можливість індивідуального дизайну:Доступні в різних розмірах, структурах і конфігураціях відповідно до вимог обладнання.



2. Технічні характеристики

Пункт
Типове значення
Матеріал підкладки
Графіт високої чистоти
Матеріал покриття
CVD карбід кремнію (SiC)
Чистота SiC
≥99,999%
Товщина покриття
100 ± 20 мкм (налаштовується)
Рівномірність товщини покриття
Контролюється в межах 10 мкм між партіями
Щільність CVD покриття SiC
3,21 г/см³
Теплопровідність
300 Вт/м·К
Коефіцієнт теплового розширення
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Додатки


  • Процес епітаксії SiC:Графітовий токоприймач використовується як носій пластини в обладнанні для епітаксії SiC, підтримуючи підкладки SiC під час високотемпературного епітаксійного росту.
  • Процес кремнієвої епітаксії:Застосовується в кремнієвих епітаксіальних реакторах для підтримки пластин і підтримки стабільних теплових умов.
  • Епітаксія MOCVD:Графітові електроприймачі VETEK підходять для MOCVD, світлодіодної епітаксії, епітаксії GaN, епітаксії кремнію та інших процесів виробництва напівпровідників, які вимагають чудової термічної однорідності та хімічної стабільності.
  • Обладнання для виробництва напівпровідників:Сумісний з різними платформами епітаксії, включаючи горизонтальні печі LPE, Aixtron, NuFlare та відповідне напівпровідникове обладнання.



4. Чому варто вибрати VETEK?

VETEK надає індивідуальні рішення для графітових токоприймачів із покриттям CVD SiC, які включають очищення графіту, точну механічну обробку, покриття CVD та можливості перевірки. Наші напівпровідникові графітові чутливі вироби відрізняються високою чистотою, рівномірною товщиною покриття, відмінними тепловими характеристиками та тривалим терміном служби для вимогливих застосувань на носіях пластин.

Гарячі теги: Графітовий чутливий елемент із покриттям CVD SiC, графітовий чутливий елемент, пластинчастий носій із графітовим покриттям із SiC, напівпровідниковий епітаксійний чутливий елемент, графітовий чутливий елемент MOCVD, пластинчастий носій із SiC, графітовий важіль із CVD SiC
Надіслати запит
Контактна інформація
  • Адреса

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Province, Китай

  • Електронна пошта

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Ми використовуємо файли cookie, щоб запропонувати вам кращий досвід перегляду, аналізувати трафік сайту та персоналізувати вміст. Використовуючи цей сайт, ви погоджуєтеся на використання файлів cookie. Політика конфіденційності
Відхилятиприйняти