CVD SIC Pancake Haverscepor

Це напівпровідник CVD SIC Pancake Speccepor виготовляється за допомогою новітньої технології хімічного осадження пари (CVD), щоб забезпечити відмінну довговічність та екстремальну адаптованість температури. Нижче наведено його основні фізичні властивості:

● Термічна стабільність: Висока термічна стійкість CVD SIC забезпечує стабільні показники в умовах високої температури.

● Низький коефіцієнт теплового розширення: Матеріал має надзвичайно низький коефіцієнт теплового розширення, що мінімізує викривлення та деформацію, спричинені змінами температури.

● Хімічна корозійна стійкість: Відмінна хімічна стійкість дозволяє йому підтримувати високу продуктивність у різних суворих умовах.

Точна підтримка та оптимізована передача тепла

SIC -покриття на основі SIC, заснованого на млинці Veteksemi, призначений для розміщення напівпровідникових вафель та забезпечення чудової підтримки під час епітаксіального осадження. Сприцептор Pancake SIC розроблений за допомогою передової обчислювальної технології моделювання для мінімізації викривлення та деформації в різних умовах температури та тиску. Його типовий коефіцієнт теплового розширення становить приблизно 4,0 × 10^-6/° C, що означає, що його розмірна стабільність значно краща, ніж традиційні матеріали у високотемпературних умовах, тим самим забезпечуючи узгодженість товщини вафель (як правило, від 200 мм до 300 мм).

Крім того, чутк для млинців CVD переважає в теплопередачі, з теплопровідністю до 120 Вт/м · k. Ця висока теплопровідність може швидко та ефективно проводити тепло, підвищувати рівномірність температури всередині печі, забезпечити рівномірний розподіл тепла під час епітаксіального осадження та зменшити дефекти осадження, спричинені нерівномірним теплом. Оптимізовані показники передачі тепла мають вирішальне значення для покращення якості осадження, що може ефективно зменшити коливання процесу та покращити врожайність.

Завдяки цих оптимізацій дизайну та продуктивності, Vetek Semiconductor від CVD SIC Pancake Pancake надає міцну основу для виробництва напівпровідників, забезпечення надійності та послідовності в суворих умовах обробки та задоволення суворих вимог сучасної напівпровідникової промисловості для високої точності та якості.

CVD SIC плівкова структура

Основні фізичні властивості покриття CVD SIC

Основні фізичні властивості покриття CVD SIC
Майно	Типове значення
Кристалічна структура	FCC β -фаза полікристалічна, головним чином (111) орієнтована
Щільність	3,21 г/см³
Твердість	2500 Вікерс твердість （500 г навантаження）
Розмір зерна	2 ~ 10 мм
Хімічна чистота	99,99995%
Теплостійка	640 Дж · кг-1· K-1
Температура сублімації	2700 ℃
Сила згинання	415 MPA RT 4-кратна
Модуль Янга	430 GPA 4PT BEND, 1300 ℃
Теплопровідність	300 Вт · м-1· K-1
Теплове розширення (CTE)	4,5 × 10-6K-1