Що таке градієнт температури теплового поля однокристалічної печі?

Що такетермічне поле?

Температурне полеОднористалічний ріствідноситься до просторового розподілу температури в монокристалічній печі, також відомої як теплове поле. Під час прожарювання розподіл температури в термічній системі є відносно стабільним, що називається статичним тепловим полем. Під час зростання монокристала теплове поле зміниться, що називається динамічним тепловим полем.

Коли монокристал росте, завдяки безперервному перетворенню фази (рідка фаза до твердої фази), приховане тепло твердої фази постійно вивільняється. У той же час, кристал стає довше і довше, рівень розплаву постійно падає, а теплопровідність та випромінювання змінюються. Тому теплове поле змінюється, що називається динамічним тепловим полем.

Що таке інтерфейс суцільної рідини?

У певний момент будь -яка точка печі має певну температуру. Якщо ми підключимо точки в просторі з однаковою температурою в температурному полі, ми отримаємо просторову поверхню. На цій просторовій поверхні температура дорівнює скрізь, що ми називаємо ізотермічною поверхнею. Серед ізотермічних поверхонь у монокристалічній печі є дуже особлива ізотермічна поверхня, яка є інтерфейсом між твердою фазою та рідкою фазою, тому її також називають інтерфейсом твердого рідини. Кристал росте з інтерфейсу суцільної рідини.

Що таке градієнт температури?

Градієнт температури означає швидкість зміни температури точки А в тепловому полі до температури сусідньої точки B. тобто швидкість зміни температури на одиничній відстані.

Колимонокристалічний кремнійЗростає, у тепловому полі є дві форми твердих та розплавів, а також є два типи температурних градієнтів:

▪ Поздовжній градієнт температури та променевий градієнт температури в кристалі.

▪ Поздовжній градієнт температури та променевий градієнт температури в розплаві.

▪ Це два абсолютно різних температурних розподілів, але температурний градієнт на інтерфейсі твердого рідини, який може найбільше впливати на стан кристалізації. Радіальний градієнт температури кристала визначається поздовжньою та поперечною тепловою провідністю кристала, поверхневим випромінюванням та новим положенням у тепловому полі. Взагалі кажучи, центральна температура висока, а крайова температура кристала низька. Радіальний градієнт температури розплаву в основному визначається обігрівачами навколо нього, тому центральна температура низька, температура біля тиглі висока, а радіальний градієнт температури завжди позитивний.

Розумний розподіл температури теплового поля має відповідати наступним умовам:

▪ Поздовжній градієнт температури в кристалі досить великий, але не надто великий, щоб забезпечити достатню здатність до розсіювання теплаЗростання кристалівзабрати приховану теплоту кристалізації.

▪ Поздовжній градієнт температури в розплаві порівняно великий, гарантуючи, що в розплаві не генеруються нові кристалічні ядра. Однак якщо він занадто великий, це легко викликати дислокації та поломку.

▪ Поздовжній градієнт температури в інтерфейсі кристалізації є належним чином великим, тим самим утворюючи необхідне недоотримане охолодження, так що монокристал мав достатній імпульс росту. Він не повинен бути занадто великим, інакше структурні дефекти відчуватимуться, а радіальний градієнт температури повинен бути максимально малим, щоб зробити інтерфейс кристалізації рівним.

Vetek Semiconductor - професійний китайський виробникПористий графіт, Монокристалічний тягнення тигель, Потягніть кремнію з монокристалічним джигом, Тигель для монокристалічного кремнію, Трубка з покриттям карбіду Tantalum для росту кристалів.  Vetek Semiconductor прагне надати передові рішення для різних продуктів SIC вафель для напівпровідникової галузі.

Якщо вас цікавить вищезазначені продукти, будь ласка, не соромтеся зв’язатися з нами безпосередньо.  

Моб: +86-180 6922 0752

WhatsApp: +86 180 6922 0752

Електронна пошта: anny@veteksemi.com